时间：2025/7/22 22:45:35
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STP95N04是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电流和低导通电阻（RDS(on)）应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及各种高功率密度系统。STP95N04采用TO-220或D2PAK等封装形式，具备高耐压能力和低导通损耗，适合工业和汽车电子应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：95A
导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：3.5mΩ（最大）
导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：2.5mΩ（最大）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220、D2PAK等
STP95N04具有多项关键性能优势，适用于高效率功率转换应用。其主要特性包括低导通电阻，确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。该器件支持高达95A的连续漏极电流，适合需要大电流处理能力的系统。此外，其最大漏源电压为40V，适用于多种中低压功率转换拓扑结构，如Buck、Boost转换器等。
该MOSFET的栅极驱动电压支持4.5V至10V范围，使其兼容多种常见的栅极驱动IC。在热性能方面，STP95N04具备良好的散热能力，尤其在高功率密度应用中表现出色。其封装设计（如TO-220和D2PAK）提供了良好的机械稳定性和散热性能，确保在高温环境下仍能可靠运行。
此外，STP95N04具备较强的抗雪崩能力和过载保护特性，适用于汽车电子、工业电机控制、电池管理系统（BMS）和智能功率模块（IPM）等对可靠性和稳定性要求较高的应用场景。
STP95N04广泛应用于多种高功率和高效率电子系统中。在电源管理领域，该器件常用于同步整流DC-DC转换器、负载开关和电池充电管理电路。在电机控制应用中，STP95N04适用于H桥驱动、直流电机控制以及步进电机驱动电路。此外，它还被广泛用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的车载充电器（OBC）、DC-DC变换器以及电池保护系统。
在工业自动化领域，STP95N04可用于PLC输出模块、伺服驱动器、变频器以及智能电表等设备中的功率开关。其低导通电阻和高电流能力使其在高效率和高功率密度设计中表现出色。同时，该器件也可用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及LED照明驱动电路，满足对高能效和小型化设计的需求。
STP100N04, IRF9540N, FDP95N04, STP95NF04, STP95N04F4-002
