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STP9435M-TRG 发布时间 时间:2025/5/26 21:09:47 查看 阅读:20

STP9435M-TRG是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263封装形式,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景中。这款MOSFET具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
  STP9435M-TRG在设计上特别注重高效能表现与稳定性,其低导通电阻特性使得它成为众多高功率密度应用的理想选择。此外,它的封装形式便于安装和散热管理。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:43A
  导通电阻(典型值):4.3mΩ
  栅极电荷(典型值):81nC
  总耗散功率(Tc=25°C时):175W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

STP9435M-TRG是一款高性能的功率MOSFET,具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗,从而提升整体效率。
  2. 较高的电流承载能力,支持高达43A的连续漏极电流,适用于大电流应用场景。
  3. 高速开关性能,得益于较低的栅极电荷,能够实现更快的开关速度,进一步减少开关损耗。
  4. 宽泛的工作温度范围(-55°C至175°C),确保在极端环境下仍能可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。
  6. TO-263封装,提供良好的散热性能及易于集成到各类电路板中。

应用

STP9435M-TRG主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
  3. 各类电机驱动应用,例如工业自动化设备、家用电器等。
  4. 负载开关,在需要快速响应和低损耗的场景中使用。
  5. 电池管理系统(BMS),用于保护和控制电池充放电过程。
  6. 工业级和汽车级应用中的高可靠性电路设计。

替代型号

STP9435NP, STP9435K, IRFZ44N

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