STP90NF03是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高电流、高效率的电源管理应用,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力的特点。STP90NF03采用TO-220封装,广泛应用于DC-DC转换器、电池充电器、电机控制以及负载开关等场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):90A
导通电阻(Rds(on)):5.3mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-220
STP90NF03具备出色的导通性能和快速开关特性,能够在高频率下稳定工作。其低导通电阻显著降低了导通损耗,从而提高了系统效率。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性和高耐压能力,能够在严苛的工业环境中可靠运行。内置的体二极管也使其适用于需要反向电流保护的应用场景。
该器件的栅极驱动要求较低,能够在较低的Vgs电压下实现良好的导通状态,适合与多种类型的控制器或驱动器配合使用。STP90NF03还具备较高的雪崩耐受能力,增强了器件在瞬态过压情况下的可靠性。
在封装方面,TO-220封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装和散热片连接,适合高功率密度的设计需求。
STP90NF03广泛应用于各种电源管理系统中,包括但不限于同步整流DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器、负载开关、电源管理系统以及工业自动化设备。由于其高电流能力和低导通电阻,该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换和控制电路中。
IRF9540N, FDP90N30, STP95NF03L