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STP80NF10FP 发布时间 时间:2025/6/10 16:55:17 查看 阅读:19

STP80NF10FP是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装形式,具有低导通电阻和高电流承载能力的特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。
  STP80NF10FP在开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及负载切换等领域表现优异,其耐压值为100V,能够满足大多数中等电压范围的应用需求。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:80A
  导通电阻:6.5mΩ
  栅极电荷:37nC
  输入电容:1500pF
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

STP80NF10FP是一款性能卓越的功率MOSFET,其主要特性如下:
  1. 高电流处理能力:能够承受高达80A的连续漏极电流,适合大功率应用。
  2. 低导通电阻:仅6.5mΩ的导通电阻可以显著降低传导损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关速度:低栅极电荷设计有助于实现更快的开关速度,减少开关损耗。
  4. 宽工作温度范围:支持从-55℃到175℃的工作温度区间,适应各种严苛环境。
  5. 可靠性高:采用先进的制造工艺,确保器件在长期使用中的稳定性和可靠性。
  6. 封装紧凑:TO-220FP封装易于安装,并提供良好的散热性能。

应用

STP80NF10FP广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 逆变器
  4. 电机驱动
  5. 负载切换
  6. 工业控制设备
  由于其出色的电气特性和可靠性,STP80NF10FP成为许多功率电子设计的理想选择。

替代型号

STP80NM10FP, IRFZ44N, FDP5500

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STP80NF10FP参数

  • 其它有关文件STP80NF10FP View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C38A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs189nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4300pF @ 25V
  • 功率 - 最大45W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件
  • 其它名称497-5897-5STP80NF10FP-ND