时间：2025/7/23 14:47:06
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STP80NF03 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电流和高频率应用。该器件采用先进的技术，具备低导通电阻和高开关速度，使其在电源管理和功率转换应用中表现出色。
类型: N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds): 30V
最大栅源电压(Vgs): ±20V
最大连续漏极电流(Id): 80A
导通电阻(Rds(on)): 3.8mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
封装类型: TO-220、D2PAK
STP80NF03具有低导通电阻，可减少导通损耗并提高能效。其高开关速度使其适用于高频开关应用。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，适用于严苛的工业和汽车环境。
该MOSFET的封装设计便于散热，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定性能。同时，其宽广的温度范围支持在极端环境中使用。
STP80NF03广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器、负载开关以及汽车电子系统等功率电子设备中。其优异的性能也使其成为工业自动化和消费类电子产品中的理想选择。
IRF3710, FDP80N03, STP80NF03L
