时间：2025/7/22 21:26:16
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STP80NE06-10是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高电压、高电流能力的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的技术，确保在高频率和高功率应用中具有优异的性能。STP80NE06-10主要用于电源管理和功率转换应用，例如开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器和电池充电器等。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为7.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：约70nC
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至+175°C
STP80NE06-10具有低导通电阻，可以显著减少导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力和低热阻使其能够在高功率密度应用中稳定工作。此外，该器件具有良好的热稳定性和过载保护能力，确保在极端工作条件下仍能保持可靠性能。STP80NE06-10的高速开关特性有助于降低开关损耗，提高整体系统性能。此外，该MOSFET的封装设计提供了良好的散热效果，确保长时间工作时的稳定性。
STP80NE06-10广泛应用于各种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、电池管理系统、逆变器、太阳能逆变器和工业控制系统等。由于其高耐压和大电流能力，该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的功率转换应用。
IRF1404, STP80NF06, STP80NF06-10
