STP7NM60N是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高电压N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的技术,提供卓越的性能和可靠性,适用于各种高电压和高电流的应用场合。STP7NM60N特别设计用于需要高效率和高耐压能力的电力电子系统,例如电源转换器、电机驱动器和照明系统。该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热稳定性,能够在苛刻的环境下稳定工作。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):7A
漏极峰值电流(Idm):28A
导通电阻(Rds(on)):最大1.2Ω
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
STP7NM60N具有多项显著的技术特性,使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。
首先,该器件的高耐压能力(600V Vds)使其适用于高压电源转换和工业控制应用,能够承受较大的电压应力,确保系统在高电压环境下的稳定运行。
其次,STP7NM60N的导通电阻较低(最大1.2Ω),这意味着在导通状态下功耗较低,从而提高系统的整体效率并减少散热需求。这对于设计紧凑型、高效率的电源系统尤为重要。
此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(±20V),使得其能够与多种驱动电路兼容,提供更高的设计灵活性。同时,它具备良好的抗雪崩能力和热稳定性,能够在过载或瞬态条件下保持器件的安全运行。
STP7NM60N采用TO-220封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于高功率密度应用。其封装设计也便于安装和散热管理,适合用于需要高可靠性的工业和消费类电子产品。
STP7NM60N广泛应用于多种电力电子系统中,尤其适合高压和中等功率的应用场景。
在电源管理系统中,该MOSFET常用于开关电源(SMPS)、AC-DC转换器、DC-DC转换器等电路中,作为主开关元件,实现高效的能量转换。
在电机驱动方面,STP7NM60N可用于直流电机控制、步进电机驱动以及电动工具中的功率开关,其高耐压和低导通电阻特性有助于提高驱动效率并减少发热。
此外,该器件也适用于照明系统,如LED驱动器和电子镇流器,提供稳定可靠的功率控制。
由于其良好的抗冲击能力和热稳定性,STP7NM60N也可用于工业自动化设备、UPS(不间断电源)、电池充电器等应用场合,确保系统在复杂环境下的可靠运行。
STP8NM60N, STP6NK60Z, IRFBC40, FQA7N60C