时间：2025/7/22 15:54:29
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STP7N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于高效率电源系统设计。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：800V
连续漏极电流（ID）：7A
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-220、D2PAK等
功率耗散（PD）：50W
STP7N80K5具有多项优良特性，包括低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。其低RDS(on)特性有助于降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET的高耐压能力使其适用于高压电源应用，如开关电源（SMPS）、LED驱动器和电机控制电路。此外，该器件具有良好的热阻性能，能够在高温环境下稳定运行，确保系统的可靠性。
STP7N80K5采用成熟的制造工艺，确保了器件的一致性和稳定性。其优化的封装设计有助于提高散热效率，延长器件的使用寿命。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小电源系统的体积并提高效率。
STP7N80K5广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、LED驱动器、电机控制器、电池充电器和逆变器等。该器件的高耐压和低导通电阻特性使其特别适用于高压直流（HVDC）转换和高效率电源设计。在工业自动化和消费电子产品中，STP7N80K5可用于电源管理和功率控制模块，提供稳定可靠的性能。
STP12N80K5, STP8NM80, STP6NK80Z, STP7NK80Z
