STP7N80K5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的技术,具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力,适用于高效率电源系统设计。
类型:N沟道
漏源电压(VDS):800V
连续漏极电流(ID):7A
导通电阻(RDS(on)):1.2Ω(最大值)
栅极阈值电压(VGS(th)):2.0V ~ 4.0V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-220、D2PAK等
功率耗散(PD):50W
STP7N80K5具有多项优良特性,包括低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。其低RDS(on)特性有助于降低导通损耗,提高系统效率。该MOSFET的高耐压能力使其适用于高压电源应用,如开关电源(SMPS)、LED驱动器和电机控制电路。此外,该器件具有良好的热阻性能,能够在高温环境下稳定运行,确保系统的可靠性。
STP7N80K5采用成熟的制造工艺,确保了器件的一致性和稳定性。其优化的封装设计有助于提高散热效率,延长器件的使用寿命。此外,该MOSFET具有快速开关特性,适用于高频开关应用,有助于减小电源系统的体积并提高效率。
STP7N80K5广泛应用于多种功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、LED驱动器、电机控制器、电池充电器和逆变器等。该器件的高耐压和低导通电阻特性使其特别适用于高压直流(HVDC)转换和高效率电源设计。在工业自动化和消费电子产品中,STP7N80K5可用于电源管理和功率控制模块,提供稳定可靠的性能。
STP12N80K5, STP8NM80, STP6NK80Z, STP7NK80Z