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STP7N80K5 发布时间 时间:2025/7/22 15:54:29 查看 阅读:3

STP7N80K5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的技术,具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力,适用于高效率电源系统设计。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(VDS):800V
  连续漏极电流(ID):7A
  导通电阻(RDS(on)):1.2Ω(最大值)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2.0V ~ 4.0V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:TO-220、D2PAK等
  功率耗散(PD):50W

特性

STP7N80K5具有多项优良特性,包括低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。其低RDS(on)特性有助于降低导通损耗,提高系统效率。该MOSFET的高耐压能力使其适用于高压电源应用,如开关电源(SMPS)、LED驱动器和电机控制电路。此外,该器件具有良好的热阻性能,能够在高温环境下稳定运行,确保系统的可靠性。
  STP7N80K5采用成熟的制造工艺,确保了器件的一致性和稳定性。其优化的封装设计有助于提高散热效率,延长器件的使用寿命。此外,该MOSFET具有快速开关特性,适用于高频开关应用,有助于减小电源系统的体积并提高效率。

应用

STP7N80K5广泛应用于多种功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、LED驱动器、电机控制器、电池充电器和逆变器等。该器件的高耐压和低导通电阻特性使其特别适用于高压直流(HVDC)转换和高效率电源设计。在工业自动化和消费电子产品中,STP7N80K5可用于电源管理和功率控制模块,提供稳定可靠的性能。

替代型号

STP12N80K5, STP8NM80, STP6NK80Z, STP7NK80Z

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STP7N80K5参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥20.35000管件
  • 系列SuperMESH5?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)800 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.2 欧姆 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13.4 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)360 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)110W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220
  • 封装/外壳TO-220-3