类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：75V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：75A @ Tc=100℃
　　导通电阻（Rds(on)）：约8.5mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220、D2PAK（取决于具体型号后缀）

STP75NF75C具有多项优异特性，使其成为高功率应用的理想选择。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件具备较高的电流承载能力，可在高负载条件下稳定运行。
　　此外，STP75NF75C采用了先进的制造工艺，确保了良好的热稳定性和可靠性。其高耐压能力（75V）使其适用于多种电源管理应用，包括DC-DC转换器、电机驱动、电源开关和电池管理系统等。
　　该MOSFET的封装形式通常为TO-220或D2PAK，便于安装和散热设计。其高栅极阈值电压（通常在2V至4V之间）也增强了抗干扰能力，提高了开关稳定性。
　　从电气特性来看，STP75NF75C具备快速开关速度，降低了开关损耗，并可在高频工作条件下保持良好性能。同时，其内部结构设计优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于提高整体系统的电磁兼容性。

STP75NF75C广泛应用于多种高功率电子系统中。常见用途包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统（如电动工具、电动车和储能系统）、电源管理模块、工业自动化设备以及高功率LED照明驱动电路。
　　在电机驱动领域，该MOSFET可作为H桥电路的主开关器件，实现对直流电机或步进电机的高效控制。在电池管理系统中，STP75NF75C可用于充放电回路的通断控制，提供高效的能量传输路径。
　　此外，该器件也适用于高功率音频放大器的电源部分，为放大器提供稳定的供电支持。其优异的热性能和高可靠性使其在高温或恶劣环境下仍能稳定工作，广泛应用于工业控制、汽车电子和可再生能源系统等领域。

IRF1405, FDP75N75, STP75NF75Z, STP75N75F3