STP75NF75C 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电流和高效率应用设计,适用于各种电源管理和功率转换系统。STP75NF75C采用了先进的技术,提供了出色的导通电阻(Rds(on))性能和高耐压能力,使其能够在高负载条件下稳定工作。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):75V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):75A @ Tc=100℃
导通电阻(Rds(on)):约8.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Ptot):160W
工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
封装形式:TO-220、D2PAK(取决于具体型号后缀)
STP75NF75C具有多项优异特性,使其成为高功率应用的理想选择。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。其次,该器件具备较高的电流承载能力,可在高负载条件下稳定运行。
此外,STP75NF75C采用了先进的制造工艺,确保了良好的热稳定性和可靠性。其高耐压能力(75V)使其适用于多种电源管理应用,包括DC-DC转换器、电机驱动、电源开关和电池管理系统等。
该MOSFET的封装形式通常为TO-220或D2PAK,便于安装和散热设计。其高栅极阈值电压(通常在2V至4V之间)也增强了抗干扰能力,提高了开关稳定性。
从电气特性来看,STP75NF75C具备快速开关速度,降低了开关损耗,并可在高频工作条件下保持良好性能。同时,其内部结构设计优化了电磁干扰(EMI)性能,有助于提高整体系统的电磁兼容性。
STP75NF75C广泛应用于多种高功率电子系统中。常见用途包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统(如电动工具、电动车和储能系统)、电源管理模块、工业自动化设备以及高功率LED照明驱动电路。
在电机驱动领域,该MOSFET可作为H桥电路的主开关器件,实现对直流电机或步进电机的高效控制。在电池管理系统中,STP75NF75C可用于充放电回路的通断控制,提供高效的能量传输路径。
此外,该器件也适用于高功率音频放大器的电源部分,为放大器提供稳定的供电支持。其优异的热性能和高可靠性使其在高温或恶劣环境下仍能稳定工作,广泛应用于工业控制、汽车电子和可再生能源系统等领域。
IRF1405, FDP75N75, STP75NF75Z, STP75N75F3