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STP75N3LLH6 发布时间 时间:2025/7/22 14:04:17 查看 阅读:8

STP75N3LLH6 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N沟道MOSFET,采用先进的STripFET? F7技术制造。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用而设计,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压和良好的热性能,适用于汽车、工业控制、电源供应器等领域。STP75N3LLH6 采用PowerFLAT 5x6封装,具有优异的散热能力,适合高功率密度设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大漏极电流(ID):75A(在Tc=25°C)
  导通电阻(RDS(on)):最大5.5mΩ(在VGS=10V)
  最大功耗(PD):180W
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装类型:PowerFLAT 5x6

特性

STP75N3LLH6 具有以下显著特性:
  1. **低导通电阻**:该器件在VGS=10V时,RDS(on) 最大为5.5mΩ,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。
  2. **高电流承载能力**:在Tc=25°C条件下,最大连续漏极电流可达75A,适合高功率应用场景。
  3. **卓越的热性能**:采用PowerFLAT 5x6封装,具备良好的散热性能,能够在高功率密度环境下稳定运行。
  4. **增强的耐用性**:支持高达175°C的工作温度,适用于高温环境下的稳定运行。
  5. **适用于汽车和工业应用**:该MOSFET符合AEC-Q101汽车电子标准,适用于汽车电源系统、DC-DC转换器、电机控制等应用。
  6. **栅极电荷低**:Qg参数优化,有助于降低开关损耗,提高整体系统效率。
  7. **雪崩能量额定值高**:具备较高的单脉冲雪崩能量承受能力,提升了器件在异常工况下的可靠性。

应用

STP75N3LLH6 广泛应用于以下领域:
  1. **汽车电子**:包括车载充电器(OBC)、电池管理系统(BMS)、电动助力转向系统(EPS)等。
  2. **工业电源**:适用于DC-DC转换器、UPS不间断电源、伺服驱动器和工业自动化控制系统。
  3. **消费类电子产品**:用于高功率密度电源适配器、充电器、储能系统等。
  4. **电机控制**:适用于无刷直流电机(BLDC)驱动、伺服电机控制等高效率功率控制场景。
  5. **可再生能源系统**:如太阳能逆变器、储能逆变器等需要高效率功率转换的系统中。

替代型号

STP75N3LH5, STP80N3LLH5, IPW75N3LLH6-13, STD75N3LLH6

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STP75N3LLH6参数

  • 其它有关文件STP75N3LLH6 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™ DeepGATE™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.9 毫欧 @ 37.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23.8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2030pF @ 25V
  • 功率 - 最大60W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件
  • 其它名称497-11336-5