STP75N3LLH6 时间：2025/7/22 14:04:17 阅读：7

STP75N3LLH6 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道MOSFET，采用先进的STripFET? F7技术制造。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用而设计，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和良好的热性能，适用于汽车、工业控制、电源供应器等领域。STP75N3LLH6 采用PowerFLAT 5x6封装，具有优异的散热能力，适合高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大漏极电流(ID)：75A（在Tc=25°C）
　　导通电阻(RDS(on))：最大5.5mΩ（在VGS=10V）
　　最大功耗(PD)：180W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

STP75N3LLH6 具有以下显著特性：
　　1. **低导通电阻**：该器件在VGS=10V时，RDS(on) 最大为5.5mΩ，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　2. **高电流承载能力**：在Tc=25°C条件下，最大连续漏极电流可达75A，适合高功率应用场景。
　　3. **卓越的热性能**：采用PowerFLAT 5x6封装，具备良好的散热性能，能够在高功率密度环境下稳定运行。
　　4. **增强的耐用性**：支持高达175°C的工作温度，适用于高温环境下的稳定运行。
　　5. **适用于汽车和工业应用**：该MOSFET符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于汽车电源系统、DC-DC转换器、电机控制等应用。
　　6. **栅极电荷低**：Qg参数优化，有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。
　　7. **雪崩能量额定值高**：具备较高的单脉冲雪崩能量承受能力，提升了器件在异常工况下的可靠性。

应用

STP75N3LLH6 广泛应用于以下领域：
　　1. **汽车电子**：包括车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统（EPS）等。
　　2. **工业电源**：适用于DC-DC转换器、UPS不间断电源、伺服驱动器和工业自动化控制系统。
　　3. **消费类电子产品**：用于高功率密度电源适配器、充电器、储能系统等。
　　4. **电机控制**：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动、伺服电机控制等高效率功率控制场景。
　　5. **可再生能源系统**：如太阳能逆变器、储能逆变器等需要高效率功率转换的系统中。