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STP75N20 发布时间 时间:2025/7/22 14:05:17 查看 阅读:7

STP75N20是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道功率MOSFET,广泛应用于高功率电子设备中,例如电源转换器、逆变器和电机控制电路。这款MOSFET采用了先进的技术,提供了卓越的性能和可靠性。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流(ID):75A
  漏源极电压(VDS):200V
  栅源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.028Ω(在VGS=10V时)
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

STP75N20具有低导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了效率。此外,该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力,使其在极端条件下也能保持稳定工作。其快速开关特性减少了开关损耗,适用于高频应用。STP75N20还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠工作。
  封装方面,STP75N20通常采用TO-247封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适用于高功率应用。TO-247封装也便于安装在散热器上,进一步提高器件的散热能力。
  该器件还具有较低的栅极电荷(Qg),这有助于减少驱动电路的功耗,并提高开关速度。此外,STP75N20的短路耐受能力较强,能够在短时间内承受较大的电流而不损坏。

应用

STP75N20广泛应用于各种高功率电子系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和电池管理系统。其高耐压和大电流能力使其特别适合用于工业自动化设备、电动汽车充电系统和可再生能源系统(如太阳能逆变器)。此外,该MOSFET也常用于UPS(不间断电源)、焊接设备和电动工具等应用。

替代型号

STP75N20FP STB75N202T STW75N202K5 STW75N202K5-DS

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STP75N20参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C34 毫欧 @ 37A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs84nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3260pF @ 25V
  • 功率 - 最大190W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-5271-5