时间：2025/7/22 14:05:17
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STP75N20是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高功率电子设备中，例如电源转换器、逆变器和电机控制电路。这款MOSFET采用了先进的技术，提供了卓越的性能和可靠性。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：75A
漏源极电压（VDS）：200V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.028Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+175°C
STP75N20具有低导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了效率。此外，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，使其在极端条件下也能保持稳定工作。其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频应用。STP75N20还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。
封装方面，STP75N20通常采用TO-247封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度，适用于高功率应用。TO-247封装也便于安装在散热器上，进一步提高器件的散热能力。
该器件还具有较低的栅极电荷（Qg），这有助于减少驱动电路的功耗，并提高开关速度。此外，STP75N20的短路耐受能力较强，能够在短时间内承受较大的电流而不损坏。
STP75N20广泛应用于各种高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和电池管理系统。其高耐压和大电流能力使其特别适合用于工业自动化设备、电动汽车充电系统和可再生能源系统（如太阳能逆变器）。此外，该MOSFET也常用于UPS（不间断电源）、焊接设备和电动工具等应用。
STP75N20FP STB75N202T STW75N202K5 STW75N202K5-DS
