时间：2025/6/11 21:09:49
阅读：8
STP70N10F4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导各种开关应用。其额定电压为 100V，连续漏极电流可达 70A，主要应用于电机驱动、电源管理、DC-DC 转换器以及负载切换等领域。
STP70N10F4 的封装形式为 TO-247，适合高功率密度的设计需求，并且具备良好的热性能，有助于提高整体系统的可靠性和稳定性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：70A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：90nC
输入电容：3000pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
STP70N10F4 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适用于现代高效能转换器设计。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 内置反向二极管，支持续流功能，简化电路设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 提供卓越的热性能，确保在高功率应用中的稳定运行。
STP70N10F4 广泛应用于以下领域：
1. 工业电机驱动与控制。
2. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
4. 电动车和混合动力汽车中的电力电子模块。
5. 各类负载切换和保护电路。
6. UPS（不间断电源）系统及电池管理系统。
IRF7781PbF
IXFN100N10P4
FDP7500
STW85N10
