STP70N06FI 时间：2025/6/16 10:33:04 阅读：4

STP70N06FI 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沒尔功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的工艺制造，适用于需要高效率和低导通损耗的应用场景。它具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，使其非常适合于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：70A
　　导通电阻：2.4mΩ
　　栅极电荷：59nC
　　总电容：3850pF
　　功耗：10W
　　工作温度范围：-55°C to 175°C

特性

STP70N06FI 提供了出色的性能表现，包括超低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗。
　　其封装形式为 TO-247，具备良好的散热性能，能够承受较大的电流负载。
　　由于采用了先进的技术，该器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗。
　　此外，STP70N06FI 的高雪崩能量能力进一步增强了其在恶劣环境中的可靠性。
　　整体上，这款 MOSFET 具有高效的电力传输能力和卓越的热稳定性。

应用

STP70N06FI 广泛应用于工业和汽车领域中的各种功率转换和控制电路。
　　典型应用包括但不限于关模式电源（SMPS）设计中的主开关或同步整流元件。
　　2. DC-DC 转换器中的功率开关，例如降压或升压拓扑。
　　3. 电机驱动应用，用于实现高效且可靠的功率控制。
　　4. 电池管理系统中的充放电控制电路。
　　5. 工业设备中的负载切换和保护功能。