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STP6NK90Z 发布时间 时间:2025/7/23 10:16:07 查看 阅读:3

STP6NK90Z是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高电压N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用,具有低导通电阻和高耐用性。STP6NK90Z广泛应用于工业电源、电机控制、电源管理以及消费类电子产品中的开关电源(SMPS)等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:6A
  最大漏源电压:900V
  最大栅源电压:±30V
  导通电阻(Rds(on)):最大值为1.7Ω @Vgs=10V
  功率耗散:50W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220、D2PAK(表面贴装)

特性

STP6NK90Z的主要特性之一是其高耐压能力,能够承受高达900V的漏源电压,这使其非常适合用于高电压开关电路中。此外,该MOSFET具有较低的导通电阻,能够在导通状态下保持较低的功耗,从而提高系统效率。
  另一个显著特点是其良好的热性能和耐用性。该器件采用高热导率封装技术,能够有效散热,从而在高负载条件下保持稳定运行。此外,STP6NK90Z具有较高的雪崩能量耐受能力,能够承受一定的过电压冲击而不损坏。
  STP6NK90Z还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,从而减少了开关损耗并提高了整体系统的响应速度。由于其栅极电荷较低,驱动电路的设计也相对简单,降低了外围电路的复杂度和成本。
  该MOSFET还具备良好的抗干扰能力和较高的可靠性,适用于各种恶劣工作环境。其封装形式多样,包括TO-220和D2PAK,适应了不同PCB布局和安装需求。

应用

STP6NK90Z广泛应用于多种电力电子系统中。在开关电源(SMPS)中,该器件常用于PFC(功率因数校正)电路或主开关电路,以提高电源效率和稳定性。此外,在电机驱动和控制电路中,STP6NK90Z可用于实现高效能的PWM控制,适用于无刷直流电机、步进电机等驱动系统。
  在工业自动化和控制设备中,该MOSFET可用于高电压负载的开关控制,如继电器、电磁阀和高亮度LED照明系统。此外,STP6NK90Z也适用于家电产品中的电源管理和节能控制模块,如微波炉、洗衣机和空调的功率控制部分。
  另外,该器件也常用于逆变器和UPS(不间断电源)系统中,用于实现高效的DC-AC转换。由于其高可靠性和热稳定性,特别适用于需要长时间运行和高负载工作的设备。

替代型号

STP8NK90Z, STP5NK90ZFP, STP6NK90ZFP

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STP6NK90Z参数

  • 其它有关文件STP6NK90Z View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)900V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 欧姆 @ 2.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1350pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-3199-5