STP6NC60 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件适用于高电压和高电流应用,具有良好的导通性能和快速开关特性。STP6NC60 主要用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机控制和各种高功率电子系统中。该MOSFET采用TO-220封装,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):600V
连续漏极电流(ID)@25°C:4.8A
漏极峰值电流(IDM):19A
RDS(on)@4.5V:1.35Ω(最大)
栅极阈值电压(VGS(th)):2V~4V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TO-220
STP6NC60 具有多个关键特性,使其适用于各种高功率应用场景。首先,其高耐压能力(600V)使其适用于高压开关电源、逆变器和其他功率转换设备。其次,该器件的导通电阻较低,在4.5V的栅极驱动电压下最大为1.35Ω,从而减少了导通损耗,提高了能效。此外,STP6NC60 具有快速开关特性,能够有效减少开关损耗,适用于高频开关应用。
该MOSFET采用先进的平面工艺制造,具有良好的热稳定性和可靠性。TO-220封装设计有助于有效散热,适合在高电流工作条件下长时间运行。此外,该器件的栅极驱动电压范围适中,通常可在4.5V至10V之间工作,兼容常见的驱动电路,如PWM控制器和微控制器输出。
STP6NC60 还具备良好的短路和过载保护能力,使其在电机控制、电源管理和工业自动化系统中表现出色。由于其高可靠性和稳定性能,广泛应用于工业设备、家电、照明系统和新能源设备中。
STP6NC60 适用于多种功率电子应用,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、电机驱动电路、LED照明系统、家用电器(如微波炉、洗衣机、空调)中的功率控制模块以及工业自动化设备中的功率开关。该器件还可用于太阳能逆变器和电动车充电系统中的功率转换部分。
STP4NC60, STP8NC60, IRF840, FQA4N60C, FDPF6N60