STP6N95K5是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用中。其主要特点是低导通电阻和高耐压能力,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
STP6N95K5的额定电压为950V,这使其适用于高压环境下的各种电力电子设备。此外,该器件还具有快速开关速度和良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。
最大漏源电压:950V
连续漏极电流:6A
导通电阻(典型值):1.7Ω
栅极电荷(典型值):45nC
输入电容(典型值):330pF
总功耗:14W
结温范围:-55℃至+175℃
STP6N95K5具备以下关键特性:
1. 高击穿电压:高达950V,适用于多种高压应用。
2. 低导通电阻:在高压MOSFET中表现出较低的Rds(on),有助于减少传导损耗。
3. 快速开关性能:低栅极电荷和输入电容确保了高效的开关操作。
4. 热稳定性强:可在极端温度范围内可靠运行,满足工业和汽车级需求。
5. 小型化设计:尽管是高压器件,但仍然保持紧凑的TO-220封装形式,便于集成到各类电路中。
6. 可靠性高:通过多项电气和机械测试验证,适合长时间连续运行。
STP6N95K5适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):
- 用于高效能的离线式AC-DC转换器。
2. 电机驱动:
- 在工业控制和家用电器中的无刷直流电机驱动电路。
3. DC-DC转换器:
- 实现高频同步整流功能以提升转换效率。
4. 电磁阀控制:
- 提供稳定的电流输出来驱动电磁阀动作。
5. 太阳能逆变器:
- 作为功率级开关元件参与能量转换过程。
6. 其他高压电力电子设备:
- 包括焊接机、不间断电源(UPS)等需要处理大功率和高电压的应用场景。
STP6N95K4
IRF840
FQP14N10