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STP6N95K5 发布时间 时间:2025/5/14 17:03:35 查看 阅读:3

STP6N95K5是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用中。其主要特点是低导通电阻和高耐压能力,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
  STP6N95K5的额定电压为950V,这使其适用于高压环境下的各种电力电子设备。此外,该器件还具有快速开关速度和良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。

参数

最大漏源电压:950V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻(典型值):1.7Ω
  栅极电荷(典型值):45nC
  输入电容(典型值):330pF
  总功耗:14W
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

STP6N95K5具备以下关键特性:
  1. 高击穿电压:高达950V,适用于多种高压应用。
  2. 低导通电阻:在高压MOSFET中表现出较低的Rds(on),有助于减少传导损耗。
  3. 快速开关性能:低栅极电荷和输入电容确保了高效的开关操作。
  4. 热稳定性强:可在极端温度范围内可靠运行,满足工业和汽车级需求。
  5. 小型化设计:尽管是高压器件,但仍然保持紧凑的TO-220封装形式,便于集成到各类电路中。
  6. 可靠性高:通过多项电气和机械测试验证,适合长时间连续运行。

应用

STP6N95K5适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):
   - 用于高效能的离线式AC-DC转换器。
  2. 电机驱动:
   - 在工业控制和家用电器中的无刷直流电机驱动电路。
  3. DC-DC转换器:
   - 实现高频同步整流功能以提升转换效率。
  4. 电磁阀控制:
   - 提供稳定的电流输出来驱动电磁阀动作。
  5. 太阳能逆变器:
   - 作为功率级开关元件参与能量转换过程。
  6. 其他高压电力电子设备:
   - 包括焊接机、不间断电源(UPS)等需要处理大功率和高电压的应用场景。

替代型号

STP6N95K4
  IRF840
  FQP14N10

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STP6N95K5参数

  • 其它有关文件STP6N95K5 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH5™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)950V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.25 欧姆 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds450pF @ 100V
  • 功率 - 最大90W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-12865-5