STP60NF06 P60NF06 时间：2025/7/22 14:01:19 阅读：7

STP60NF06 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，广泛应用于各种电力电子设备中。该器件采用先进的技术制造，能够在高频率和高效率条件下工作，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和电池充电器等多种应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏-源极电压（VDS）：60V
　　最大栅-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大28mΩ（典型值为22mΩ）
　　最大功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

STP60NF06 MOSFET具备多项优良特性，使其在电力电子应用中表现出色。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。同时，该器件具有快速的开关速度，适合用于高频开关电路，降低开关损耗并减小外围元件的尺寸。此外，STP60NF06的高电流承载能力和良好的热性能使其在高功率密度应用中表现优异。它还具备良好的抗雪崩能力和高可靠性，确保在严苛的工作环境下稳定运行。
　　这款MOSFET采用TO-220AB封装，便于安装和散热，适用于多种工业标准电路板设计。由于其优异的性能和可靠性，STP60NF06被广泛用于各种功率控制和转换应用。