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STP60N06 发布时间 时间:2025/7/23 5:08:13 查看 阅读:19

STP60N06是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于高电流、高效率的电源管理系统。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性,适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统和工业自动化设备等领域。STP60N06的封装形式为TO-220,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):最大值为0.018Ω(典型值0.015Ω)
  功耗(Ptot):200W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-220

特性

STP60N06具有多项出色的电气和热性能,使其成为高功率应用中的理想选择。
  首先,该MOSFET的导通电阻非常低,典型值仅为0.015Ω,最大值为0.018Ω,这意味着在高电流条件下,其导通损耗非常小,从而提高了整体系统的效率。这对于电池供电设备和高能效电源转换器尤为重要。
  其次,STP60N06的最大漏源电压为60V,能够承受较高的电压应力,适用于多种电源管理拓扑结构,如Buck、Boost和同步整流电路等。此外,其栅源电压额定值为±20V,使得该器件在驱动电路设计中具有较高的容错能力,避免因栅极电压波动而导致的损坏。
  在电流处理能力方面,STP60N06可承受连续漏极电流高达60A,满足高功率负载的需求。同时,其瞬态电流能力更强,能够在短时间内承受更高的电流冲击,适用于电机驱动和负载突变的应用场景。
  该器件的封装形式为TO-220,具有良好的散热性能,确保在高功率密度设计中仍能保持稳定的工作温度。此外,STP60N06的热阻(Rth)较低,进一步提升了其热管理能力,延长了器件的使用寿命并提高了系统的可靠性。  综上所述,STP60N06凭借其低导通电阻、高电流处理能力和优异的热稳定性,成为众多高功率电子系统中的关键元件。

应用

STP60N06广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. **DC-DC转换器**:由于其低导通电阻和高电流能力,STP60N06非常适合用于Buck、Boost和同步整流电路中,提高电源转换效率。
  2. **电机驱动**:在电动工具、机器人和自动化设备中,STP60N06可用于驱动直流电机和步进电机,提供高可靠性和高效率的控制方案。
  3. **电池管理系统**:在电动车、储能系统和便携式设备中,该MOSFET可用于电池充放电控制,确保电池组的安全运行。
  4. **工业自动化**:STP60N06适用于工业控制电路中的高功率开关应用,如继电器替代、负载开关和电源分配系统。
  5. **电源管理模块**:该器件可用于电源管理模块中的主开关元件,实现高效、紧凑的电源解决方案。
  6. **汽车电子**:STP60N06可应用于汽车中的电动助力转向系统、空调系统和车载充电器等,满足汽车电子对高可靠性和宽工作温度范围的需求。

替代型号

IRFZ44N, FDP60N06, IPW60N06S, STP60NF06

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