类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：50V
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大16mΩ @ VGS=10V
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　功率耗散（PD）：170W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK、PowerSSO-36

STP60N0516采用STMicroelectronics的第六代STripFET? F6技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为14mΩ，在高电流应用中显著降低导通损耗。该器件具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作，并具备出色的雪崩击穿耐受能力，提升了系统的可靠性和稳定性。此外，其快速开关特性有助于提高电源转换效率，减少开关损耗。该MOSFET还具有低栅极电荷（Qg），便于驱动电路设计，降低了驱动损耗。其封装设计优化了散热性能，适用于高功率密度应用场景。
　　在电气特性方面，STP60N0516在VGS=10V时可提供高达60A的漏极电流，适用于大功率负载。其低VDS(on)特性确保在高负载条件下仍能保持较低的功耗，减少发热，延长器件寿命。该器件还具备高dv/dt耐受能力，减少电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。此外，其封装符合RoHS环保标准，适用于工业级和汽车级应用。

STP60N0516 主要用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、不间断电源（UPS）和工业自动化设备等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高功率开关电源和电机控制的理想选择。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统等，满足汽车应用对可靠性和稳定性的高要求。

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　　 "STP60N0516F",
　　 "STP60N0516FP",
　　 "STD60N0516",
　　 "STL60N0516"
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