STP607D 时间：2025/4/30 9:41:49 阅读：2

STP607D是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用领域。
　　这款MOSFET特别适合需要高效能和高可靠性的电路设计。其高雪崩击穿能力和低反向恢复电荷特性，使其在恶劣的工作条件下也能保持稳定性能。

参数

最大漏源电压：70V
　　连续漏极电流：6A
　　栅源电压：±20V
　　导通电阻：0.18Ω
　　总功耗：95W
　　结温范围：-55℃至175℃

特性

STP607D采用了先进的制造工艺，具备以下特点：
　　1. 高击穿电压，确保在高压环境下的安全运行。
　　2. 极低的导通电阻，减少功率损耗，提高系统效率。
　　3. 快速开关特性，支持高频操作，降低开关损耗。
　　4. 优异的热稳定性，能够在高温环境下长期工作。
　　5. 高雪崩击穿能力，增强器件的鲁棒性。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。

应用

STP607D广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器的核心元件。
　　3. 各种电机驱动电路，例如步进电机和直流电机控制。
　　4. 负载切换和保护电路。
　　5. 逆变器和UPS电源系统中的功率级元件。
　　6. 工业自动化设备中的功率控制模块。