STP5NK65ZFP 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高电压和高功率应用场景。该器件采用先进的MDmesh? Z技术,优化了导通电阻(Rds(on))和开关性能,适用于电源转换、电机控制、照明系统以及工业自动化设备等应用领域。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):650V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id)@25°C:4.4A
最大导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V:1.2Ω
最大导通电阻(Rds(on))@Vgs=4.5V:1.8Ω
功率耗散(Ptot):50W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220FP
STP5NK65ZFP 的核心优势在于其采用了MDmesh? Z技术,这种技术显著降低了导通损耗并优化了开关性能,使其在高电压应用中表现卓越。该器件具有极低的导通电阻,在Vgs=10V时仅为1.2Ω,在Vgs=4.5V时为1.8Ω,这不仅减少了功率损耗,还提高了系统效率。此外,该MOSFET具有高雪崩耐受能力和优秀的热稳定性,确保在恶劣工作条件下依然保持稳定性能。TO-220FP封装设计提供了良好的散热性能,同时具备较高的机械强度和可靠性,适合用于紧凑型高功率设计中。
STP5NK65ZFP 还具有快速开关特性,减少了开关过程中的能量损耗,从而进一步提升了整体能效。其栅极驱动要求较低,适用于多种控制电路设计,尤其适合与PWM控制器配合使用。此外,该器件的抗静电能力较强,提高了在生产、运输和使用过程中的可靠性。
由于其优异的性能指标和稳定的可靠性,STP5NK65ZFP 被广泛应用于电源管理领域,如AC-DC转换器、DC-DC转换器、PFC(功率因数校正)电路以及电机驱动系统中。
STP5NK65ZFP 主要应用于需要高电压和高效率的功率转换系统。典型应用场景包括AC-DC开关电源、工业用电机驱动器、LED照明电源、电池充电器、太阳能逆变器以及各种类型的电源管理系统。此外,该器件也适用于家电控制板、自动化控制系统和工业自动化设备中的功率开关部分。
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