类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为3.5Ω（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Ptot）：75W

STP5NC80Z具有多个关键特性，使其在高压功率转换应用中表现出色。首先，其高耐压能力（800V）使其适用于多种高电压应用场景，如开关电源（SMPS）、逆变器和电机控制。此外，该MOSFET的连续漏极电流为5A，能够支持较高的功率输出，同时其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用了先进的PowerMESH技术，优化了电流分布并减少了热阻，从而提升了整体性能和可靠性。其封装形式（TO-220和D2PAK）提供了良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。此外，STP5NC80Z具有较高的热稳定性，能够在严苛的环境条件下稳定运行。
　　栅极驱动方面，该MOSFET支持±30V的栅源电压，允许使用较高的驱动电压以降低导通损耗。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高整体效率。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压，提高了系统在极端情况下的稳定性。

STP5NC80Z广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和工业自动化设备。在电源管理方面，该器件可用于高效能电源适配器、LED驱动电源和电池充电器。此外，它也可用于家电中的电机控制电路，如洗衣机、空调压缩机等。在工业控制系统中，STP5NC80Z可用于驱动继电器、电磁阀和高功率LED照明系统。由于其高可靠性和良好的热性能，该MOSFET也适用于恶劣环境下的户外设备和工业机械。

STP6NC80Z, STP4NC80Z, FQA5N80C