STP5N80 时间：2025/7/22 22:44:24 阅读：9

STP5N80是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压和高功率应用。这款MOSFET设计用于高效能开关操作，广泛应用于电源管理、电机控制、照明系统和各种工业设备中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（Id）：5A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：800V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK、TO-251等

特性

STP5N80 MOSFET具有多种优良的电气和物理特性。首先，其高击穿电压（800V）使其能够承受较高的电压应力，适用于需要高压工作的场景，如开关电源和高电压电机驱动。其次，该器件具有较低的导通电阻，在Vgs=10V时为1.2Ω，这意味着在导通状态下，功耗较低，有助于提高系统效率。
　　此外，STP5N80的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V的栅极-源极电压，增强了其在不同驱动电路中的兼容性。它还具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较高的环境温度下可靠工作，适应各种严苛的工作条件。
　　该MOSFET的封装形式多样，包括TO-220、D2PAK和TO-251等，适用于不同的PCB布局需求和散热要求。这使得它在多种应用中具有较高的灵活性和可扩展性。

应用

STP5N80常用于各类电力电子设备和系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路以及照明控制系统。由于其高压耐受能力和较低的导通损耗，它特别适合用作功率开关元件，在需要高效率和可靠性的工业自动化和电源管理系统中广泛使用。
　　在开关电源设计中，STP5N80可用于构建高效能的初级侧开关，实现能量的高效转换；在电机控制应用中，它可以作为H桥结构中的关键开关元件，控制电机的正反转和速度；在照明系统中，它可用于驱动高压气体放电灯或LED照明设备，提供稳定的电流控制。
　　此外，该器件还广泛应用于家电、自动化控制系统和工业设备中的电源管理和功率调节模块。