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STP55NF06 发布时间 时间:2024/5/15 13:45:17 查看 阅读:194

STP55NF06是一款N沟道MOSFET功率晶体管。它采用STMicroelectronics的先进技术,具有低导通电阻和高开关速度,适用于高性能电源应用。
  STP55NF06的主要特性包括:
  1、低导通电阻:STP55NF06具有很低的导通电阻,可以减少功率损耗并提高效率。
  2、高开关速度:该晶体管具有快速的开关速度,可以实现高频率的开关操作。
  3、高温度工作能力:STP55NF06能够在高温环境下工作,具有良好的热稳定性。
  4、低输入和输出电容:该晶体管的输入和输出电容较低,可以提高开关速度和响应时间。
  5、低漏电流:STP55NF06具有低漏电流特性,可以减少功耗和热量产生。
  6、TO-220封装:该晶体管采用TO-220封装,易于安装和散热。
  STP55NF06的应用领域包括电源管理、电机驱动、逆变器、开关电源和电动工具等。它可以用于各种功率级别的电路设计,从几瓦到几千瓦不等。
  总之,STP55NF06是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管,具有低导通电阻、高开关速度和高温度工作能力等特点。它适用于多种应用领域,是电源设计中常用的元件之一。

参数和指标

额定电压:55V
  额定电流:55A
  导通电阻:0.022Ω
  功率:110W
  峰值电流:220A
  静态工作点:IDSS=5A,VGS(th)=2-4V

技术要点

1、选择合适的电压和电流等级,确保满足应用需求。
  2、注意导通电阻和功率参数,以保证正常工作和高效率。
  3、根据静态工作点的参数,选择合适的控制电压范围和电流源。

设计流程

1、确定应用需求,包括电压、电流和功率等级。
  2、选择合适的器件,考虑参数和指标。
  3、进行电路设计,包括控制电压和电流源的设计。
  4、进行模拟和实际测试,优化设计。

常见故障及预防措施

1、过电流故障:加入过流保护电路,及时切断过电流。
  2、过热故障:加入散热器或风扇,确保器件工作温度在安全范围内。
  3、静电击穿:在操作和安装过程中,注意防静电措施,避免静电对器件的损害。
  4、过压故障:加入过压保护电路,确保器件在过压情况下不受损。

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STP55NF06参数

  • 其它有关文件STP55NF06 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 27.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-2777-5