STP55L25B-TR 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用了先进的平面条形沟槽栅(StripFET?)技术,提供较低的导通电阻和更高的效率,适合用于高频率开关应用。
类型:N沟道
漏源电压(VDS):25V
栅源电压(VGS):±10V
漏极电流(ID):55A(最大值)
导通电阻(RDS(on)):0.018Ω @ VGS = 10V
功率耗散(PD):40W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
STP55L25B-TR 具备多项优良特性,适合高要求的功率管理应用。其导通电阻非常低,仅0.018Ω,可在高电流条件下显著降低功率损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET支持高达55A的连续漏极电流,适用于需要大电流驱动的场合,例如DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理系统。
采用先进的StripFET?沟槽栅技术,不仅提高了器件的导通性能,还增强了其热稳定性,确保在高频开关工作下仍能保持稳定。该器件的栅极驱动电压范围为±10V,兼容常见的栅极驱动器,方便设计和集成。
在封装方面,STP55L25B-TR采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热能力,适合表面贴装工艺,便于在紧凑型设计中使用。其工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,确保在各种环境条件下都能可靠运行。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力,可在突发电压和电流条件下提供更高的可靠性和稳定性,适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
STP55L25B-TR 常用于各种功率电子系统中,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路、电源管理和热插拔电路等。由于其高电流能力和低导通电阻,该器件特别适合用于需要高效率和紧凑设计的电源转换设备。此外,在工业自动化、通信设备和消费电子产品中也有广泛应用。
IRF55N25B、STP55NF25、STP60NF25T4