时间：2025/7/22 7:45:40
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STP55L25B-TR 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用了先进的平面条形沟槽栅（StripFET?）技术，提供较低的导通电阻和更高的效率，适合用于高频率开关应用。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：25V
栅源电压（VGS）：±10V
漏极电流（ID）：55A（最大值）
导通电阻（RDS(on)）：0.018Ω @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：40W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
STP55L25B-TR 具备多项优良特性，适合高要求的功率管理应用。其导通电阻非常低，仅0.018Ω，可在高电流条件下显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET支持高达55A的连续漏极电流，适用于需要大电流驱动的场合，例如DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理系统。
采用先进的StripFET?沟槽栅技术，不仅提高了器件的导通性能，还增强了其热稳定性，确保在高频开关工作下仍能保持稳定。该器件的栅极驱动电压范围为±10V，兼容常见的栅极驱动器，方便设计和集成。
在封装方面，STP55L25B-TR采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热能力，适合表面贴装工艺，便于在紧凑型设计中使用。其工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保在各种环境条件下都能可靠运行。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，可在突发电压和电流条件下提供更高的可靠性和稳定性，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
STP55L25B-TR 常用于各种功率电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路、电源管理和热插拔电路等。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效率和紧凑设计的电源转换设备。此外，在工业自动化、通信设备和消费电子产品中也有广泛应用。
IRF55N25B、STP55NF25、STP60NF25T4
