STP4NA80FI 时间：2025/6/16 10:32:41 阅读：6

STP4NA80FI是意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种高频开关应用场合。其封装形式为TO-220，便于散热设计，适合在高电流和高电压环境下工作。
　　STP4NA80FI的主要特点是其耐压能力高达800V，同时具备低栅极电荷和快速恢复特性，使其非常适合于开关电源、电机驱动、逆变器以及负载开关等应用领域。

参数

最大漏源电压：800V
　　连续漏极电流：4A
　　导通电阻（典型值）：1.9Ω
　　栅极电荷：25nC
　　总电容（输入电容）：1200pF
　　极间电容（输出电容）：370pF
　　反向传输电容：130pF
　　功耗：26W
　　工作温度范围：-55℃至175℃

特性

STP4NA80FI是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力，可承受高达800V的漏源电压，适用于高压应用场景。
　　2. 低导通电阻，典型值为1.9Ω，在高电流条件下能够减少功率损耗。
　　3. 快速开关性能，栅极电荷仅为25nC，有助于提高工作效率并降低开关损耗。
　　4. 较小的极间电容，使得器件能够在高频条件下保持高效工作。
　　5. 工作温度范围宽广，从-55℃到175℃，适应各种恶劣环境条件。
　　6. TO-220封装形式，提供良好的散热性能和机械稳定性。

应用

STP4NA80FI因其出色的电气特性和可靠性，被广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS），包括AC-DC转换器和DC-DC转换器。
　　2. 电机驱动器，用于控制各种类型的电机，例如步进电机和无刷直流电机。
　　3. 逆变器电路，常用于太阳能发电系统和不间断电源（UPS）。
　　4. 负载开关和保护电路，确保系统的安全运行。
　　5. 各种工业自动化设备中的高压开关应用。
　　这些应用得益于STP4NA80FI的高耐压、低导通电阻和快速开关能力，从而实现高效、可靠的电力转换与控制。