时间：2025/4/27 17:52:51
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STP4N150是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，适用于多种开关电源、电机驱动和逆变器等应用领域。它具有较低的导通电阻和较高的雪崩击穿能力，能够在高电压条件下提供高效的功率转换。
STP4N150的最大额定漏源电压为150V，连续漏极电流为4A（在25°C时）。其优异的电气性能和可靠性使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：4A
导通电阻：2.8Ω（典型值）
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：105W
工作结温范围：-55°C~175°C
STP4N150具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：能够承受高达150V的漏源电压，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：典型的导通电阻仅为2.8Ω，有助于降低功率损耗并提高效率。
3. 快速开关速度：具备快速的开关性能，减少开关损耗，非常适合高频开关应用。
4. 强大的雪崩击穿能力：增强了器件在异常情况下的保护能力。
5. 宽温度范围：支持从-55°C到175°C的工作结温范围，适应各种恶劣环境。
6. 符合RoHS标准：环保设计，满足国际环保法规要求。
STP4N150广泛应用于以下领域：
1. 开关电源：用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源管理模块。
2. 电机驱动：适用于家用电器、工业设备中的小型电机控制。
3. 逆变器：用于太阳能逆变器和其他电力转换系统。
4. LED照明：用作恒流或恒压驱动控制器。
5. 消费电子产品：如游戏机、笔记本电脑充电器等需要高效功率转换的场合。
IRFZ44N, FQP12N50
