STP3NA60FI 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款 N 沤道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有较高的耐压能力,适用于需要高电压驱动的电路应用。其封装形式为 TO-220,便于散热和安装。
STP3NA60FI 的主要特点是其耐压值高达 600V,同时具备较低的导通电阻,能够有效减少功率损耗并提高效率。此外,它还具有较快的开关速度,适合于高频开关电源、电机驱动以及各类工业控制领域。
最大漏源电压:600V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:3A
脉冲漏极电流:18A
导通电阻(典型值):5.2Ω
总功耗:100W
结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-220
STP3NA60FI 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:支持高达 600V 的漏源电压,适用于高压应用场景。
2. 较低的导通电阻:在高电流条件下,能有效降低功耗并提升整体效率。
3. 快速开关性能:有助于减少开关损耗,适合高频操作环境。
4. 强大的热稳定性:能够在较宽的温度范围内正常工作,适应恶劣的工作条件。
5. 可靠性高:经过严格的质量测试,确保在长时间使用中的稳定性与安全性。
6. 封装设计合理:采用 TO-220 封装,方便散热管理,易于集成到各种功率电路中。
STP3NA60FI 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,用于计算机、通信设备及家用电器。
2. 电机驱动:适用于各种类型的电机控制,如步进电机、直流无刷电机等。
3. 工业自动化:在工业控制设备中,用于继电器驱动、电磁阀控制等。
4. 照明系统:用于 LED 驱动电路和电子镇流器。
5. 电池充电器:在高效电池充电器中用作开关元件。
6. 逆变器:用于太阳能逆变器和其他类型的能量转换系统。
STP3NB60Z, IRF840, BUZ11