STP3481 时间：2025/7/22 22:41:14 阅读：10

STP3481 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换和功率管理应用，具备低导通电阻、高开关速度和优良的热性能。STP3481通常用于DC-DC转换器、电池充电系统、电机控制以及各种需要高电流和高频率开关的场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：34A（在25°C）
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大为7.5mΩ（当VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：134W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

STP3481的主要特性包括低导通电阻、高电流容量以及优异的开关性能。其低RDS(on)确保了在高电流条件下较低的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件采用先进的平面技术，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于在高温环境下工作的应用。封装方面，STP3481通常采用TO-220或D2PAK等封装形式，便于散热和安装。
　　另一个关键特性是其高栅极电荷（Qg）性能优化，使得在高频开关应用中能够有效降低驱动损耗。同时，STP3481的雪崩能量额定值较高，能够在极端条件下提供良好的耐久性和稳定性。这些特性使得该MOSFET在汽车电子、工业控制和电源管理系统中具有广泛的应用前景。

应用

STP3481适用于多种高功率和高频率的电子系统，包括但不限于：
　　- DC-DC降压/升压转换器
　　- 电池充电与管理系统（如便携式设备、电动车）
　　- 电机驱动与控制电路
　　- 开关电源（SMPS）
　　- 电源管理模块
　　- 工业自动化设备
　　由于其高可靠性和优异的热性能，该MOSFET也常用于汽车电子系统中，例如车载充电器、电动助力转向系统等。