STP3481 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换和功率管理应用,具备低导通电阻、高开关速度和优良的热性能。STP3481通常用于DC-DC转换器、电池充电系统、电机控制以及各种需要高电流和高频率开关的场合。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):34A(在25°C)
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大为7.5mΩ(当VGS=10V)
功率耗散(PD):134W
工作温度范围:-55°C至175°C
STP3481的主要特性包括低导通电阻、高电流容量以及优异的开关性能。其低RDS(on)确保了在高电流条件下较低的功率损耗,提高了系统的整体效率。此外,该器件采用先进的平面技术,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于在高温环境下工作的应用。封装方面,STP3481通常采用TO-220或D2PAK等封装形式,便于散热和安装。
另一个关键特性是其高栅极电荷(Qg)性能优化,使得在高频开关应用中能够有效降低驱动损耗。同时,STP3481的雪崩能量额定值较高,能够在极端条件下提供良好的耐久性和稳定性。这些特性使得该MOSFET在汽车电子、工业控制和电源管理系统中具有广泛的应用前景。
STP3481适用于多种高功率和高频率的电子系统,包括但不限于:
- DC-DC降压/升压转换器
- 电池充电与管理系统(如便携式设备、电动车)
- 电机驱动与控制电路
- 开关电源(SMPS)
- 电源管理模块
- 工业自动化设备
由于其高可靠性和优异的热性能,该MOSFET也常用于汽车电子系统中,例如车载充电器、电动助力转向系统等。
STP3481的替代型号包括STP3482、IRF3710、FDV3481、Si4410DY、IRF3205