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STP32NM50N 发布时间 时间:2025/7/22 5:47:09 查看 阅读:8

STP32NM50N是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于需要高效率和高可靠性的应用,例如电源转换、电机控制和工业自动化系统。STP32NM50N以其高耐压、低导通电阻和良好的热性能而闻名,能够在高电压和高电流条件下稳定工作。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(VDS):500V
  连续漏极电流(ID):14A(Tc=25℃)
  导通电阻(RDS(on)):0.32Ω @ VGS=10V
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V ~ 4V @ ID=250μA
  最大功率耗散(PD):125W
  工作温度范围:-55℃ ~ 150℃
  封装形式:TO-220

特性

STP32NM50N具有多项优异的电气和热性能特性,使其在各种高功率应用中表现出色。首先,其高漏源电压(500V)和相对较低的导通电阻(0.32Ω)使该MOSFET能够在高电压条件下提供高效的功率转换,同时减少导通损耗。此外,该器件的连续漏极电流可达14A,适用于中高功率负载的控制。
  STP32NM50N的栅极阈值电压范围为2V至4V,这意味着它可以与常见的逻辑电平驱动电路兼容,如微控制器或PWM控制器,从而简化了驱动电路的设计。同时,该MOSFET具备良好的抗雪崩能力,增强了器件在瞬态过电压条件下的可靠性。
  其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,以确保在高功率应用中保持稳定的温度运行。此外,STP32NM50N的热阻(RthJC)较低,有助于减少热量积聚,提高整体系统的稳定性和寿命。
  综合来看,STP32NM50N在性能和可靠性方面表现优异,适合在严苛的工作环境下使用。

应用

STP32NM50N广泛应用于多个领域,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、工业自动化设备以及照明控制系统。在开关电源中,该MOSFET可用作主开关器件,实现高效的能量转换;在电机控制中,它可用于H桥电路中以控制电机的转向和速度。此外,由于其高耐压和良好的热性能,STP32NM50N也适用于高压负载开关和电源管理模块。

替代型号

STP20N50, STP17NM50N, IRF540N

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STP32NM50N参数

  • 现有数量105现货
  • 价格1 : ¥62.80000管件
  • 系列MDmesh? II
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)22A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)130 毫欧 @ 11A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)62.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1973 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)190W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220
  • 封装/外壳TO-220-3