STP32NM50N是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于需要高效率和高可靠性的应用,例如电源转换、电机控制和工业自动化系统。STP32NM50N以其高耐压、低导通电阻和良好的热性能而闻名,能够在高电压和高电流条件下稳定工作。
类型:N沟道
漏源电压(VDS):500V
连续漏极电流(ID):14A(Tc=25℃)
导通电阻(RDS(on)):0.32Ω @ VGS=10V
栅极阈值电压(VGS(th)):2V ~ 4V @ ID=250μA
最大功率耗散(PD):125W
工作温度范围:-55℃ ~ 150℃
封装形式:TO-220
STP32NM50N具有多项优异的电气和热性能特性,使其在各种高功率应用中表现出色。首先,其高漏源电压(500V)和相对较低的导通电阻(0.32Ω)使该MOSFET能够在高电压条件下提供高效的功率转换,同时减少导通损耗。此外,该器件的连续漏极电流可达14A,适用于中高功率负载的控制。
STP32NM50N的栅极阈值电压范围为2V至4V,这意味着它可以与常见的逻辑电平驱动电路兼容,如微控制器或PWM控制器,从而简化了驱动电路的设计。同时,该MOSFET具备良好的抗雪崩能力,增强了器件在瞬态过电压条件下的可靠性。
其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,以确保在高功率应用中保持稳定的温度运行。此外,STP32NM50N的热阻(RthJC)较低,有助于减少热量积聚,提高整体系统的稳定性和寿命。
综合来看,STP32NM50N在性能和可靠性方面表现优异,适合在严苛的工作环境下使用。
STP32NM50N广泛应用于多个领域,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、工业自动化设备以及照明控制系统。在开关电源中,该MOSFET可用作主开关器件,实现高效的能量转换;在电机控制中,它可用于H桥电路中以控制电机的转向和速度。此外,由于其高耐压和良好的热性能,STP32NM50N也适用于高压负载开关和电源管理模块。
STP20N50, STP17NM50N, IRF540N