STP32NM50N 时间：2025/7/22 5:47:09 阅读：8

STP32NM50N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于需要高效率和高可靠性的应用，例如电源转换、电机控制和工业自动化系统。STP32NM50N以其高耐压、低导通电阻和良好的热性能而闻名，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID）：14A（Tc=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.32Ω @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V @ ID=250μA
　　最大功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：TO-220

特性

STP32NM50N具有多项优异的电气和热性能特性，使其在各种高功率应用中表现出色。首先，其高漏源电压（500V）和相对较低的导通电阻（0.32Ω）使该MOSFET能够在高电压条件下提供高效的功率转换，同时减少导通损耗。此外，该器件的连续漏极电流可达14A，适用于中高功率负载的控制。
　　STP32NM50N的栅极阈值电压范围为2V至4V，这意味着它可以与常见的逻辑电平驱动电路兼容，如微控制器或PWM控制器，从而简化了驱动电路的设计。同时，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，增强了器件在瞬态过电压条件下的可靠性。
　　其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，以确保在高功率应用中保持稳定的温度运行。此外，STP32NM50N的热阻（RthJC）较低，有助于减少热量积聚，提高整体系统的稳定性和寿命。
　　综合来看，STP32NM50N在性能和可靠性方面表现优异，适合在严苛的工作环境下使用。

应用

STP32NM50N广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、工业自动化设备以及照明控制系统。在开关电源中，该MOSFET可用作主开关器件，实现高效的能量转换；在电机控制中，它可用于H桥电路中以控制电机的转向和速度。此外，由于其高耐压和良好的热性能，STP32NM50N也适用于高压负载开关和电源管理模块。