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STP315N10F7 发布时间 时间:2025/7/7 8:31:39 查看 阅读:6

STP315N10F7是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式,具有高击穿电压和低导通电阻的特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。其主要功能是在电路中提供高效的开关性能,并能承受较高的电流负载。
  STP315N10F7在设计上优化了热性能和电气性能,使其成为工业、汽车以及消费类电子产品的理想选择。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:15A
  栅极电荷:65nC
  导通电阻:0.085Ω
  功耗:180W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

STP315N10F7具有以下显著特性:
  1. 采用了MDmesh技术,降低了导通电阻的同时提高了器件的鲁棒性。
  2. 高击穿电压确保了器件能够在高压环境下稳定运行。
  3. 超低的导通电阻减少了功率损耗,从而提升了系统效率。
  4. 内置防静电保护功能,增强了器件的可靠性。
  5. 支持高频开关操作,适合于DC-DC转换器、逆变器等应用领域。
  6. TO-220封装提供了良好的散热性能,便于安装和维护。

应用

STP315N10F7广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动
  4. 工业自动化控制
  5. 太阳能逆变器
  6. 汽车电子系统中的负载切换
  由于其出色的性能和可靠性,该器件特别适合需要高效能量转换和精确电流控制的应用场合。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF06
  FQP16N06

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STP315N10F7参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥45.55000管件
  • 系列Automotive, AEC-Q101, DeepGATE?, STripFET? VII
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)180A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.7 毫欧 @ 60A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)180 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)12800 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)315W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220
  • 封装/外壳TO-220-3