STP30NF10FP 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-220FP 封装形式,适用于多种功率转换和开关应用。其设计目标是提供高效率、低导通电阻和快速开关性能。
STP30NF10FP 的最大漏源电压为 100V,额定电流为 30A,适用于电机驱动、DC-DC 转换器、开关电源以及负载切换等应用场合。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:30A
栅极电荷:45nC
导通电阻:0.075Ω
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:TO-220FP
STP30NF10FP 是一款高性能的功率 MOSFET,具有以下特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在 10V 栅极驱动电压下典型值为 0.075Ω,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力,栅极电荷较低 (45nC),适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常情况下的耐用性。
4. 内置二极管具备快速恢复时间,降低开关损耗。
5. 适用于表面贴装工艺,方便大规模生产。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
这款功率 MOSFET 的整体设计使其成为需要高效功率转换的应用的理想选择。
STP30NF10FP 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
3. 各类负载切换应用,如电池保护和配电系统。
4. 逆变器和 UPS 系统中的功率管理组件。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其高效率和可靠性,STP30NF10FP 成为许多工程师设计高效能电子产品的首选器件。
IRFZ44N, STP36NF10L, FDP5800