时间：2025/7/23 10:57:27
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STP28NM50N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率开关应用。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适用于各种高效率电源转换系统。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：11A
漏源击穿电压（VDS）：500V
栅源击穿电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.28Ω
功率耗散（PD）：65W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
STP28NM50N具有多项优异的电气和热性能，能够满足高功率密度和高效率的设计需求。其低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了系统的整体能效。此外，该MOSFET具备高击穿电压能力（VDS=500V），能够在高压环境中稳定工作。
该器件采用了先进的平面条形沟槽技术，提供了良好的导通性能和开关特性。同时，其封装形式为TO-220，具备良好的散热能力，适用于高功率应用场景。STP28NM50N还具有良好的栅极驱动特性，能够快速开关，减少开关损耗。
在可靠性方面，该MOSFET具有良好的热稳定性和抗短路能力，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）也使其适用于多种工业和消费类应用。
STP28NM50N广泛应用于各类高功率开关电路中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、照明系统、家用电器以及工业自动化设备等。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适合用于需要高效率和高可靠性的场合，例如在反激式和正激式变换器中作为主开关器件。
此外，该MOSFET还可用于逆变器、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）以及电动工具等需要高压大电流控制的电路中。
STP12NM50N, STP16NM50N, STP20NM50N
