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STP270N8F7 发布时间 时间:2025/5/10 17:03:22 查看 阅读:3

STP270N8F7 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沣道开关 MOSFET 芯片。该器件采用先进的制程技术设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于高效能的功率转换应用。其封装形式为 TO-220,能够承受较高的电流和电压,并且具备出色的热性能。
  STP270N8F7 的额定漏源极电压为 80V,连续漏极电流可达 270A,适用于工业电源、电机驱动、DC/DC 转换器等应用场景。

参数

漏源极电压(Vds):80V
  连续漏极电流(Id):270A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  栅极电荷(Qg):140nC
  功耗(Ptot):270W
  工作温度范围(Ta):-55℃ to +175℃
  封装类型:TO-220

特性

STP270N8F7 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够有效降低导通损耗,提高整体效率。
  2. 高额定电流 Id 和电压 Vds,适合大功率应用。
  3. 快速开关能力,减少了开关损耗,非常适合高频电路。
  4. 出色的热稳定性,在高温环境下依然可以保持高性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  6. 内置防静电保护功能,提升了器件的可靠性。
  7. 可靠性高,寿命长,适用于工业级和商业级应用环境。

应用

STP270N8F7 广泛应用于以下领域:
  1. 工业电源和开关电源 (SMPS)。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. DC/DC 转换器及逆变器。
  4. 大功率 LED 照明驱动。
  5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电力系统。
  6. 不间断电源 (UPS) 系统。
  7. 各种需要高效功率转换的应用场景。

替代型号

STP270N8LLH5, IRFZ44N, FDP270N8

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STP270N8F7参数

  • 现有数量1,028现货
  • 价格1 : ¥45.47000管件
  • 系列DeepGATE?, STripFET? VII
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)180A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.5 毫欧 @ 90A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)193 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)13600 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)315W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220
  • 封装/外壳TO-220-3