时间：2025/6/10 13:11:29
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STP25N10F7 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。STP25N10F7 的最大漏源电压为 100V，连续漏极电流为 25A（在 25°C 下），并且能够在高频条件下高效工作。
该芯片的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，具体取决于实际产品版本。它具有出色的热性能和电气性能，能够满足工业、消费电子及汽车领域对高性能功率管理的需求。
最大漏源电压 Vds：100V
连续漏极电流 Id：25A
栅极阈值电压 Vgs(th)：2.5V 至 4.5V
导通电阻 Rds(on)：9mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗 Ptot：160W
工作结温范围 Tj：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220 或 DPAK
1. 超低导通电阻：STP25N10F7 提供了仅 9mΩ 的典型导通电阻（Rds(on)），从而显著降低了传导损耗。
2. 高效率：得益于先进的 Trench 技术，该 MOSFET 具有非常高的开关效率和较低的开关损耗。
3. 快速开关能力：具备快速的开关速度，适合高频应用环境。
4. 热稳定性强：支持高达 +175°C 的工作结温，确保在高温条件下的稳定运行。
5. 低栅极电荷：减少了驱动损耗并提高了整体系统效率。
6. 高可靠性：经过严格的质量测试，能够在恶劣环境中长期可靠工作。
7. 小型化设计：采用紧凑封装，有助于节省电路板空间。
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IRFZ44N, STP36NF10, FDP16N10, AO3400
