时间：2025/7/16 20:32:39
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STP24N60DM2 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高功率N沟道MOSFET晶体管，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的MDmesh?技术，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，使其适用于开关电源、DC-DC转换器以及各种高效率电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：24A
导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.22Ω（典型值为0.18Ω）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：约3V至5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220FP
STP24N60DM2 的核心优势在于其优异的导通性能和高耐压能力。首先，它采用了意法半导体的MDmesh?技术，这种技术显著降低了导通损耗，提高了器件在高频开关状态下的效率。其次，该MOSFET具备高达650V的漏源击穿电压（Vds），能够在高压环境中稳定运行。
此外，STP24N60DM2 具有较低的导通电阻（Rds(on)），通常在0.18Ω左右，这有助于降低功率损耗并减少发热，从而提高整体系统的能效。同时，该器件的连续漏极电流为24A，能够支持较大的负载电流需求。
该MOSFET还具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的性能。其封装形式为TO-220FP，适合焊接在PCB上，并提供良好的散热性能。因此，该器件非常适合用于需要高效能、高可靠性的工业级电源设备中。
STP24N60DM2 主要应用于各类电源管理系统，如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电池充电器以及电机驱动电路。由于其高耐压能力和低导通电阻，该器件也广泛用于照明系统、UPS（不间断电源）以及光伏逆变器等高功率应用场合。
此外，STP24N60DM2 还可用于家电中的功率控制模块，例如电磁炉、电饭煲等产品中的电源开关元件。在汽车电子领域，该MOSFET可作为车载充电系统或直流电机控制的核心器件，提供稳定的电气性能和出色的可靠性。
STP24N60M5, FQA24N60C, IRFBG240, STP20N60DM2
