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STP20NF20 发布时间 时间:2025/6/19 6:55:23 查看 阅读:4

STP20NF20是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。这款器件采用TO-220封装形式,具有高电流承载能力和低导通电阻的特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换和控制的领域。
  该器件通过其优异的电气性能和可靠性,成为工业应用中常用的功率器件之一。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻(Rds(on)):125mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:19nC(最大值)
  输入电容:1360pF
  总功耗:140W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

STP20NF20具备以下显著特点:
  1. 高击穿电压(200V),使其适用于高压电路环境。
  2. 低导通电阻(125mΩ),从而减少功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关能力,适合高频开关应用。
  4. 良好的热稳定性,能够在高温环境下长期可靠运行。
  5. 小型化设计(TO-220封装),方便集成到各种功率电子设备中。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

STP20NF20的主要应用领域包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 各种类型的电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机等。
  3. 电池充电管理系统中的负载切换。
  4. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  5. 电信和消费类电子产品的功率管理模块。
  6. 工业自动化和过程控制系统中的功率控制元件。

替代型号

IRF540N, FQP27N20, STP20NM20

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STP20NF20参数

  • 其它有关文件STP20NF20 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs39nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds940pF @ 25V
  • 功率 - 最大90W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-5812-5