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STP20NF06L 发布时间 时间:2025/6/4 17:32:42 查看 阅读:5

STP20NF06L 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等功率电子电路中。STP20NF06L以其低导通电阻和快速开关特性著称,适合高效率和高性能的功率转换应用。
  STP20NF06L 的设计基于先进的沟槽栅极技术,能够显著降低传导损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻:18mΩ
  栅极电荷:27nC
  总功耗:105W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

STP20NF06L 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,仅为18mΩ,从而减少了导通损耗,提高了整体效率。
  2. 快速开关性能,得益于其较小的栅极电荷(27nC),有助于减少开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 工作温度范围宽广,从-55℃到175℃,适用于恶劣环境中的应用。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特性使得STP20NF06L非常适合用于需要高效功率管理的应用场景。

应用

STP20NF06L 可用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器,提供高效的功率转换。
  2. 电机驱动电路,控制电机的速度和方向。
  3. 负载切换和保护电路,确保系统稳定运行。
  4. UPS(不间断电源)系统,用于备用电源管理。
  5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
  由于其低导通电阻和高效率特性,STP20NF06L 成为众多功率电子应用的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  AO3400
  FDP018N06L

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STP20NF06L参数

  • 其它有关文件STP20NF06L View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 25V
  • 功率 - 最大60W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-4375-5