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STP20N95K5 发布时间 时间:2025/7/23 4:29:38 查看 阅读:3

STP20N95K5是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件适用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用,如开关电源、电机控制、负载开关和逆变器系统。STP20N95K5在设计上优化了导通电阻(Rds(on))和开关损耗之间的平衡,从而在高频开关条件下仍能保持较低的功率损耗。该MOSFET采用TO-220封装,具有良好的散热性能,适合工业级应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):950V
  连续漏极电流(Id):20A(Tc=25°C)
  栅源电压(Vgs):±30V
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω(最大值,Vgs=10V)
  功率耗散(Ptot):125W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-220

特性

STP20N95K5具备多项优异的电气和物理特性,使其在高电压和高电流应用中表现出色。首先,其高达950V的漏源击穿电压(Vds)使其非常适合用于高电压环境,如工业电源和太阳能逆变器。其次,低导通电阻(Rds(on))降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。此外,该器件的栅极电荷(Qg)相对较低,有助于减少开关过程中的能量损耗,提高开关速度。
  STP20N95K5还具有良好的热稳定性,得益于其TO-220封装形式,能够有效散热,确保在高温环境下依然保持稳定运行。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V至15V驱动电压,适用于多种驱动电路设计。
  其内部结构采用了先进的平面技术和沟槽工艺,优化了载流子分布,提高了器件的可靠性和耐用性。同时,该器件具备良好的雪崩能量承受能力,能够在突发过压或感性负载切换时保持稳定,避免器件损坏。

应用

STP20N95K5广泛应用于多种高电压和高功率场景,例如:
  1. **开关电源(SMPS)**:由于其低导通电阻和高耐压特性,适用于高效率AC/DC和DC/DC转换器。
  2. **电机驱动与控制**:适用于工业自动化和电机控制电路,提供稳定的功率输出。
  3. **光伏逆变器**:用于太阳能系统中的DC-AC转换,确保高效的能量转换。
  4. **负载开关和电源管理系统**:在电源管理模块中用于高电压负载的通断控制。
  5. **UPS和储能系统**:在不间断电源和电池管理系统中实现高效的能量传输。

替代型号

STP20N95K5的替代型号包括STP20N95K5-0.18和STP20N95K5-0.18-1。如果需要更高电流能力,可考虑使用STP28N95K5或类似型号。

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STP20N95K5参数

  • 其它有关文件STP20N95K5 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH5™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)950V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C330 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1500pF @ 100V
  • 功率 - 最大250W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-12863-5