STP19NB20FP是一款由STMicroelectronics制造的N沟道功率MOSFET,适用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力,使其成为电源管理和功率转换系统中的理想选择。STP19NB20FP采用TO-220FP封装,具备良好的热性能和机械稳定性,适用于工业控制、电源供应器和马达驱动等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):200V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):19A
功耗(Pd):125W
导通电阻(Rds(on)):0.18Ω
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220FP
STP19NB20FP的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其能够处理较大的负载电流,适合高功率应用。此外,STP19NB20FP具有良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行,从而延长设备的使用寿命。
该MOSFET的封装设计提供了优异的散热性能,确保在高功率操作下的稳定性和可靠性。同时,其栅极驱动特性优化,使得开关速度较快,减少了开关损耗,适用于高频开关应用。STP19NB20FP还具备较高的耐用性和抗干扰能力,能够在恶劣的工业环境中稳定工作。
在保护方面,STP19NB20FP具备过热保护和过流保护功能,确保在异常工作条件下的器件安全。这种内置保护机制可以防止因过载或短路导致的损坏,提高系统的可靠性和安全性。
STP19NB20FP广泛应用于各种高功率电子设备和系统中。其主要应用包括电源管理系统、开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、马达驱动器和工业控制设备。在电源供应器中,该MOSFET可以用于高效能的电压调节和功率转换,提高整体系统效率。
此外,STP19NB20FP还可用于电池管理系统、不间断电源(UPS)和逆变器等应用,提供可靠的功率开关功能。在工业自动化和控制系统中,该器件可用于控制高功率负载,如加热元件、电动机和照明系统。由于其优异的电气性能和可靠性,STP19NB20FP也适用于汽车电子系统和新能源领域的功率管理应用。
STP20NF20, IRFZ44N, FDP19N20