时间：2025/6/10 16:53:31
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STP190N55LF3是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TOLL封装形式，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于工业和汽车领域中的大功率开关应用。
STP190N55LF3的工作电压高达550V，能够承受较高的反向电压，同时具备快速开关速度和较低的栅极电荷，从而提高效率并减少开关损耗。
最大漏源电压：550V
连续漏极电流：19A
导通电阻：0.16Ω
栅极电荷：48nC
总电容：275pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
STP190N55LF3采用了先进的MDmesh?技术，这使得其在高压条件下仍然保持较低的导通电阻，从而提高了整体效率。
该MOSFET还具备以下特点：
- 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
- 极低的输入和输出电容，有助于减少开关过程中的能量损耗。
- 符合AEC-Q101标准，适合汽车级应用。
- TOLL封装支持无引脚设计，提高了散热性能和焊接可靠性。
由于这些优势，STP190N55LF3特别适合需要高效能和高可靠性的场景。
这款功率MOSFET广泛应用于多种高压电力电子系统中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 太阳能逆变器
- 电机驱动器
- 电动车充电设备
- 工业自动化控制
STP190N55LF3凭借其高电压耐受能力和低导通电阻，非常适合用作高频开关元件或负载开关。
STP160N55LF3, STP190N50F3
