时间：2025/7/23 22:31:32
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STP17NK40ZFP是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的SuperMESH技术，具有低导通电阻和高开关性能，适用于各种高性能电源系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：17A
漏源极电压（VDS）：400V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（典型值）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220FP
STP17NK40ZFP采用STMicroelectronics的SuperMESH技术，这种技术通过优化电场分布，实现了极低的导通电阻和出色的开关性能。其导通电阻仅为0.22Ω，在高电流应用中可以显著降低功耗，提高系统效率。此外，该MOSFET的漏源极电压高达400V，使其适用于中高压电源系统，如开关电源（SMPS）、电机控制、照明镇流器和DC-DC转换器等。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V，具有良好的栅极稳定性，同时内置了快速恢复二极管，有助于提高开关速度并减少开关损耗。STP17NK40ZFP的封装形式为TO-220FP，这种封装不仅具备良好的散热性能，还符合RoHS环保标准，适合工业级应用。
在可靠性方面，STP17NK40ZFP具备较高的雪崩能量承受能力，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其热阻（Rth）较低，有助于在高功率运行时保持较低的结温，延长器件的使用寿命。这些特性使得该MOSFET在多种电源管理应用中表现出色，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。
STP17NK40ZFP广泛应用于各种电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、照明系统（如电子镇流器）、UPS不间断电源、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制电路。
STP17NK40ZFP的替代型号包括STP16NK40Z、STP18NK40Z、IRF840、IRF740
