时间：2025/7/23 16:33:20
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STP16NK65Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的16A、650V的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的功率转换应用。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，是电源管理、电机控制、照明系统及工业自动化设备中的常用元件。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：16A
最大漏源电压（VDS）：650V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.25Ω（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：约34nC
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
STP16NK65Z具有多个关键特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其650V的高耐压能力确保了在高压电路中的稳定运行，同时16A的最大漏极电流提供了足够的功率容量。其次，该器件的低导通电阻（RDS(on)）有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，STP16NK65Z具备快速开关特性，能够实现高频操作，减少开关损耗并提升系统响应速度。其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了机械稳定性和易于安装的特性。最后，该MOSFET具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），能够在恶劣的环境条件下保持可靠运行，适用于工业级和汽车级应用。
STP16NK65Z广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动器、照明控制系统（如LED驱动器）、家电控制电路、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器）。在这些应用中，STP16NK65Z能够提供高效的功率控制和可靠的性能，是理想的功率开关元件。
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