时间：2025/5/26 19:05:47
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STP165N10F4是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的MOSFET器件。该器件属于N沟道增强型功率MOSFET，采用MDAP19封装形式。
STP165N10F4设计用于高效率、低损耗的应用场景。其出色的导通电阻和开关性能使其非常适合于要求高效能及高温稳定性的工业和消费类应用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：165A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：280nC
输入电容：4280pF
总功耗：320W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
STP165N10F4具备非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗，并提升整体效率。
此外，该器件具有良好的热性能和电气性能，适合在恶劣环境下使用。它的高雪崩能量能力增强了其在瞬态条件下的稳健性。
该MOSFET还具备快速开关速度，能够有效降低开关损耗，在高频应用中表现出色。
由于采用了先进的工艺技术，STP165N10F4能够在高电流和高电压条件下可靠运行，同时保持较低的温度上升。
STP165N10F4广泛应用于各种功率转换和控制领域。
典型应用包括但不限于：电动车辆的驱动系统、工业电机控制、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、直流-直流转换器以及高性能开关电源（SMPS）。
此外，它也适用于需要大电流处理能力的电池管理系统（BMS）和负载切换电路等场合。
IRFP260N
IXTH14N10L
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