时间：2025/6/16 10:32:05
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STP14NF12FP 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 封装，适用于各种开关和功率管理应用。其设计具有低导通电阻和高效率的特点，适合在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中使用。
这款 MOSFET 的耐压值为 120V，能够处理高达 14A 的连续漏极电流。同时，它还具备快速开关速度和低栅极电荷的特性，有助于降低开关损耗。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：14A
导通电阻：85mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：17nC（典型值）
总电容：125pF（输入电容）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263
STP14NF12FP 提供了出色的电气性能和可靠性：
1. 高击穿电压 (120V)，确保在高压环境下的稳定性。
2. 极低的导通电阻 (85mΩ 典型值)，可显著减少传导损耗。
3. 快速开关能力，适合高频应用。
4. 宽广的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适应极端环境条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代设计需求。
6. 内置雪崩能量保护功能，提高系统可靠性。
STP14NF12FP 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率转换。
2. 直流电机驱动器中的负载切换。
3. 汽车电子设备中的继电器替代和负载控制。
4. LED 照明系统的恒流驱动。
5. 各种工业控制和家电产品中的功率开关。
6. 电池保护电路中的充放电管理。
STP16NF12,
IRFZ44N,
FDP5800,
IXFN16N120
