时间：2025/7/23 0:14:01
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STP13N60FI是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET，具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性。该器件广泛用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机控制等应用中。STP13N60FI采用先进的MOSFET制造技术，确保在高频率和高负载条件下仍能保持稳定性能。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：13A（在Tc=100℃）
脉冲漏极电流（Idm）：52A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V（在Vds=10V，Id=250μA时）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.45Ω
功率耗散（Ptot）：80W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-220FP
STP13N60FI具有多个显著的性能特点。首先，其高耐压能力达到600V，使其适用于高电压应用场景。其次，低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高能效。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，在13A连续漏极电流下仍能保持稳定运行。
该器件的热稳定性良好，能够在高温环境下工作，最大工作温度可达150℃，并具有良好的热保护能力。STP13N60FI还具备快速开关特性，适合高频开关应用，从而减小电源系统的体积和重量。
该MOSFET采用TO-220FP封装，具有良好的散热性能，并且封装形式便于安装和焊接，适用于多种工业和消费类电子设备。
STP13N60FI广泛应用于各类电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动器、逆变器和照明控制系统等。在这些应用中，STP13N60FI能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现，适用于需要高电压和中等电流处理能力的电路设计。
STP16N60FI, STP12N60FI, FQP13N60C
