STP13N60DM2 时间：2025/7/23 8:31:47 阅读：4

STP13N60DM2是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET主要用于高电压和高电流应用，如电源管理、电机控制、工业自动化以及电源转换系统。其主要设计目的是提供高效、可靠的开关性能，同时在高电压下保持较低的导通电阻（Rds(on)）。STP13N60DM2采用了先进的技术，以确保在高温和高负载条件下依然能够稳定工作。

参数

类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：13A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.45Ω
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　功率耗散（PD）：80W

特性

STP13N60DM2具备多项关键特性，使其适用于各种高要求的应用场景。首先，其较高的漏极-源极击穿电压（600V）使其能够承受较大的电压应力，适用于高压电源转换和控制应用。其次，该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）相对较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，STP13N60DM2的栅极驱动电压范围较宽（±30V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性。
　　该器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，能够有效地将热量传导到散热片或PCB上，从而保证器件在高负载条件下的稳定性。TO-220封装还具有较高的机械强度和耐久性，适合工业级应用。
　　STP13N60DM2的工作温度范围广泛（-55°C至+150°C），确保其在极端环境条件下仍能正常运行，适用于汽车电子、工业控制系统和户外设备等应用。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和抗过载能力，能够在短时间内承受较大的电流和热量冲击，避免因短路或瞬态过载而损坏。

应用

STP13N60DM2广泛应用于多种高电压和高电流场景。例如，在电源管理领域，该MOSFET常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流器中，作为主开关器件，负责高效地控制电能的传输和转换。由于其具备较高的电压和电流承受能力，它在逆变器和UPS（不间断电源）系统中也常用于功率开关控制。
　　在电机控制方面，STP13N60DM2可用于驱动直流电机、步进电机和无刷电机，广泛应用于工业自动化设备、机器人和电动工具等领域。其低导通电阻和高开关速度有助于提高电机控制的精度和效率。
　　此外，该MOSFET还可用于LED照明驱动、电源适配器、电池充电器以及各种工业和消费类电子设备中的功率控制电路。