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STP12PF06 发布时间 时间:2025/12/24 9:55:31 查看 阅读:23

STP12PF06 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的NPN型达林顿晶体管。这种晶体管主要用作开关或放大元件,适用于需要高增益和大电流驱动的应用场合。
  达林顿晶体管是一种复合结构的晶体管,它通过将两个或多个晶体管串联耦合在一起以提供极高的电流增益(hFE)。STP12PF06具有较高的电流处理能力,并且具备低饱和电压的特点,适合用于继电器驱动、电机控制以及其他功率开关应用。

参数

集电极-发射极电压(Vceo):80V
  集电极电流(Ic):5A
  功耗(Ptot):100W
  直流电流增益(hFE):1000(典型值)
  封装类型:TO-220
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

STP12PF06的主要特性包括:
  1. 高增益:由于其达林顿结构设计,该晶体管能够提供非常高的电流增益(hFE),使得在低输入电流条件下也能有效驱动负载。
  2. 大电流处理能力:可承受高达5A的集电极电流,适用于各种大功率应用。
  3. 低饱和电压:这有助于减少功率损耗并提高整体效率。
  4. 良好的热性能:采用TO-220封装,具备良好的散热能力,确保在高温环境下稳定运行。
  5. 广泛的工作温度范围:从-55℃到+150℃的工作温度范围使其适合各种恶劣环境下的应用。

应用

STP12PF06广泛应用于以下领域:
  1. 继电器驱动:利用其高增益和大电流能力来控制继电器的通断。
  2. 电机控制:可以用于小型直流电机的启动、停止及速度调节。
  3. 照明控制:如LED灯条或白炽灯的调光控制。
  4. 开关电源中的功率开关:
  5. 各种工业自动化设备中的功率级控制。
  总之,任何需要高增益、大电流驱动的地方都可以考虑使用STP12PF06。

替代型号

一些可能的替代型号包括:
  1. TIP120:这也是一个常用的NPN达林顿晶体管,与STP12PF06具有相似的电气特性和封装形式。
  2. BD677:同样是NPN型达林顿晶体管,具有类似的电流增益和电压规格。
  3. MJE802A:来自ON Semiconductor的一款NPN达林顿晶体管,适用于类似的应用场景。
  选择替代型号时,请务必确认其具体参数是否符合您的应用需求,因为即使是相似的晶体管,其详细规格也可能存在差异。

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STP12PF06产品

STP12PF06参数

  • 其它有关文件STP12PF06 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds850pF @ 25V
  • 功率 - 最大60W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-2721-5