STP12NB30FP 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用PowerFLAT 5x6封装。该器件适用于高电流、高效率的功率应用,例如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和负载开关等。STP12NB30FP具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和良好的热性能,使其在多种功率管理应用中表现出色。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):30V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):12A(在Tc=25°C)
导通电阻(Rds(on)):最大12.5mΩ(在Vgs=10V)
功率耗散(Ptot):45W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:PowerFLAT 5x6
STP12NB30FP 具备多项优异的电气和热性能,使其在功率应用中表现出色。其低导通电阻有助于减少导通损耗,提高系统效率。该MOSFET的高耐压能力(Vds=30V)使其适用于多种低压功率转换应用,如同步整流、电池管理系统和电机驱动电路。
此外,STP12NB30FP 采用PowerFLAT 5x6封装,具备优良的热管理能力,有助于在高电流条件下保持较低的工作温度,提高系统稳定性与可靠性。该封装还具有较小的尺寸,有助于节省PCB空间,适用于紧凑型设计。
该器件的栅极驱动电压范围宽(±20V),兼容多种驱动电路,便于设计和集成。其在10V Vgs条件下的低Rds(on)值(12.5mΩ)确保在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗,减少发热问题。
STP12NB30FP 还具备良好的短时过载能力和抗冲击电流能力,适用于需要频繁开关或承受瞬态负载的应用场景。
STP12NB30FP 主要用于需要高效功率管理的电子设备中,适用于以下典型应用:
1. DC-DC转换器:用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源模块,提供高效的电压转换。
2. 电机控制:用于无刷直流电机、步进电机驱动器,提供高效率的功率开关。
3. 电池管理系统:用于电动工具、电动自行车和储能系统中,实现高效的充放电控制。
4. 负载开关:用于智能电源管理、热插拔系统,实现快速的负载切换与保护。
5. 电源管理模块:用于工业自动化、消费电子和汽车电子中的高效电源设计。
STP12NM30ND, STP10NK35Z, IRF3710, FDP12N30