时间：2025/7/22 14:44:15
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STP12N120K5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高功率的应用。这款MOSFET采用了先进的技术，能够在1200V的漏极-源极电压下工作，具有较低的导通电阻和高效的开关性能。
类型：MOSFET（N沟道）
漏极-源极电压（Vds）：1200V
连续漏极电流（Id）@25°C：12A
导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（最大）
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
功率耗散（Ptot）：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
STP12N120K5具有低导通电阻，可以减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了优化的硅技术，确保了快速的开关速度，从而减少了开关损耗。
该MOSFET还具有高耐用性和良好的热稳定性，能够在高电压和高电流条件下保持稳定运行。其高雪崩能量耐受能力使得该器件在需要高可靠性的应用中表现出色。
STP12N120K5的封装设计（TO-247）提供了良好的散热性能，适合用于高功率密度的设计。此外，该器件具有良好的短路耐受能力，增强了其在苛刻环境下的可靠性。
STP12N120K5广泛应用于高电压和高功率的电力电子系统，如电源转换器、逆变器、电机驱动器和工业自动化设备。由于其高耐压能力和低导通电阻，该器件特别适合用于DC-DC转换器、AC-DC电源供应器以及UPS（不间断电源）系统。
在可再生能源领域，该MOSFET可以用于太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换模块。同时，它也可以在高电压电池管理系统中使用，以实现高效的能量管理和转换。
在工业应用中，STP12N120K5可以用于高功率LED驱动器、工业加热设备以及高压电机控制电路。
IXFH12N120, IRGPC50K
